作者foolphen (枫儿)
看板NEMS
标题[问题] RIE吃SiO2和金属的参数
时间Wed Oct 31 00:41:39 2012
各位好 现在想要使用RIE吃SiO(100nm)和中间有一层薄金属Ag(~10nm不平)
但因为下面有结构 也有SiO2 不可以被吃到
所以要吃得很平 也就是纵向蚀刻速率要比较小
看有人使用CF4 (我之前是使用CHF3单纯吃另一种结构的SiO2)
不晓得两种是不是都可以将10nm的金属吃掉?
以及有人知道帕数和流量大致上要怎麽调整吗?
谢谢!
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