事情是這樣的 目前在做薄膜的蝕刻 以矽基板為底(SiO2) 結構是 SiO2/Ta(10nm)/CoFeB(1.2nm)/MgO(1nm)/CoFeB(1.3nm)/Ta(11nm) 目的是想要蝕刻深度為15-20nm(也就是說會一次刻到三種材料) 目前我的做法是這樣 曝光流程 樣品拿去上光阻(s1818)：塗佈機3000轉 接著軟烤90度3分鐘 然後曝光大約57-58秒 汞燈光源功率平均值為2.45mW/cm2 顯影(顯影劑351：水=1：5) 接著硬烤120度10分鐘 蝕刻流程 以Ar氣體去做電漿蝕刻 試過以下一些參數 1、瓦數160w，秒數250-550sec 2、瓦數160w，秒數250sec 連打兩次 中間間隔10分鐘 3、瓦數160w，秒數150sec 連打五次 中間間隔10分鐘 這些樣品在刻後會以丙酮+超音波震的方式去除殘餘光阻 然後會把樣品送去做AFM掃描 目前為止只有參數1秒數500秒以上才能達到我的理想蝕刻深度 可是遇到一個問題就是在蝕刻後的殘餘光阻似乎因為蝕刻秒數太久變質了 用丙酮+超音波震了5分鐘以上仍無法去除 另外還會搭配用氧氣去清除殘餘光阻，效果仍有限 我想問的問題是 1、是否有其他的辦法能除去殘餘變質的光阻? 2、s1818光阻能承受的溫度是多少? s1818光阻是否適合我使用? 還是我該換光阻? 3、若Ar氣體換成CF6?等等的混合氣體去做蝕刻效果會比較好嗎? 會對我的樣品產生影響嗎? 謝謝 --

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