事情是这样的 目前在做薄膜的蚀刻 以矽基板为底(SiO2) 结构是 SiO2/Ta(10nm)/CoFeB(1.2nm)/MgO(1nm)/CoFeB(1.3nm)/Ta(11nm) 目的是想要蚀刻深度为15-20nm(也就是说会一次刻到三种材料) 目前我的做法是这样 曝光流程 样品拿去上光阻(s1818)：涂布机3000转 接着软烤90度3分钟 然後曝光大约57-58秒 汞灯光源功率平均值为2.45mW/cm2 显影(显影剂351：水=1：5) 接着硬烤120度10分钟 蚀刻流程 以Ar气体去做电浆蚀刻 试过以下一些参数 1、瓦数160w，秒数250-550sec 2、瓦数160w，秒数250sec 连打两次 中间间隔10分钟 3、瓦数160w，秒数150sec 连打五次 中间间隔10分钟 这些样品在刻後会以丙酮+超音波震的方式去除残余光阻 然後会把样品送去做AFM扫描 目前为止只有参数1秒数500秒以上才能达到我的理想蚀刻深度 可是遇到一个问题就是在蚀刻後的残余光阻似乎因为蚀刻秒数太久变质了 用丙酮+超音波震了5分钟以上仍无法去除 另外还会搭配用氧气去清除残余光阻，效果仍有限 我想问的问题是 1、是否有其他的办法能除去残余变质的光阻? 2、s1818光阻能承受的温度是多少? s1818光阻是否适合我使用? 还是我该换光阻? 3、若Ar气体换成CF6?等等的混合气体去做蚀刻效果会比较好吗? 会对我的样品产生影响吗? 谢谢 --

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