因為原PO目前煩惱的是2um的gap顯不出來。 我原本的猜測最有可能的原因是光罩沒有contact所以造成光透過光罩後擴散導致 指叉電極變寬，gap 變窄，但原po表示已經使用vac contact的模式。 所以我在這邊只有一步一步的除錯步驟。若是我的話，我會 1. 用顯微鏡去檢查我的Cr光罩，看看光罩在顯微鏡下是不是真的沒問題 2. 既然原PO已經使用vac contact模式，表示光罩在反覆contact之下一定已經髒了。 換做是我我會徹底清洗一次光罩表面。 3. 曝光的時候再次確認是不是鉻面朝下貼著wafer(這真的有可能搞錯) 4. 原PO有使用vac contact, 但vac contact要搭配o-ring才會有用否則是百分之百白搭。 我會建議原PO檢查曝光機是否有o-ring，有的話是否有work 5. 我在美國使用的曝光機是EVG 620，最貼的模式不是Vac contac, 而是V+H模式 (vaccum + Hard contact)，所以我建議原PO調整看看什麼模式會得到最近似的線寬 甚至我建議原PO換一台曝光機試試看。 6. SU-8會脫落我還是直覺認為曝光不足cross link未完全。但也可以再確認Silicon wafer表面是否清潔以及完全dehydration。 7. 原po線寬是用profilometer還是SEM去量的? 有的時候double check一下。 這是真的發生在我身上的事情，我之前使用的光學顯微鏡就可以在圖片上測線寬。 有一陣子發覺所有線寬都變細了差距到0.5 um。交叉測試很久之後才確定是 顯微鏡有被動到所以線寬不準。 8. 照一下SEM 看一下你的結構夠不夠垂直。很多時候黃光技巧參數做不好的時候 結構上下不夠垂直差距到兩個micron, 這剛好是原PO的gap寬度，所以不可不慎。 以上就是參數外的檢驗方式。若以上都沒問題的話那八九成要從參數著手去改了。 參數的話我看了一下原PO給的資料，大抵上都還好，唯有 上面推文有說了。datasheet上推薦的是95度。而且hotplate若加上鋁箔， 有些討論是說表面溫度會降低個五到十度左右。這樣一來一往差距離95度更大! 確實有些文獻是利用較低的溫度去做baking, 但是這意味著要大幅增加baking 時間。 原PO並沒有增加baking時間。而且其實我本身用低溫去做SU-8確實都會失敗脫落。 另外SU-8某些系列也的確建議先由65度C以及95度C分兩個階段考， 甚至是用ramp的方式由65度C上升至95度C 在原PO要求線寬準確的情況下，的確值得一試。 所以 以上是小弟的看法。還歡迎板上眾多高手一起分享。 ※ 引述《alfudimas (開始拼畢業!!)》之銘言： : 我最近在做SU-8，遇到一些問題 : 先說一下我的實驗大概內容 : 我在做梳狀結構 也就是一根一根長方形的beam (或稱finger) : 長度95um 寬度5um 高度10um : beam和beam之間的gap是2um和3um兩種設計 : 我是使用過期四年(但保存方法還算良好)的 SU-8 2010 : 目前遇到的問題是 : (1)用原廠的datasheet內的總能量去曝光 : gap會低於原設計的2um和3um (比對結果認為是過曝) : 降低曝光時間後，gap有增加，但附著度變差，甚至顯影時會脫落 : (2)且顯影時，會發生本來附著好好的 : 但因顯影時間過久(datasheet的顯影時間3min)，我又增加2~3min以上) : 圖案因而脫落，與您所說的只要cross-linked，顯影很久都不會脫落的結果不同 : 不知道是不是因為您的圖案面積比我的大很多?? : (3)3um的設計，除了gap會縮小到2.5um左右以外，圖案大致上成功 : 但2um的設計，gap會縮小到1.5um左右以外， : gap之間到目前為止，都無法成功顯乾淨。 : 我的SU-8製程流程 : 旋500轉30秒 3000轉40秒 : 軟烤90度 3分鐘 : 曝光總能量60~140mJ都有(曝光機37mW/s) : 曝後烤90度 4分鐘 : 顯影3分 4分 6分 7分 都有 : IPA 10~30秒 -- 本球隊一切依法行政，謝謝指教。 --

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