因为原PO目前烦恼的是2um的gap显不出来。 我原本的猜测最有可能的原因是光罩没有contact所以造成光透过光罩後扩散导致 指叉电极变宽，gap 变窄，但原po表示已经使用vac contact的模式。 所以我在这边只有一步一步的除错步骤。若是我的话，我会 1. 用显微镜去检查我的Cr光罩，看看光罩在显微镜下是不是真的没问题 2. 既然原PO已经使用vac contact模式，表示光罩在反覆contact之下一定已经脏了。 换做是我我会彻底清洗一次光罩表面。 3. 曝光的时候再次确认是不是铬面朝下贴着wafer(这真的有可能搞错) 4. 原PO有使用vac contact, 但vac contact要搭配o-ring才会有用否则是百分之百白搭。 我会建议原PO检查曝光机是否有o-ring，有的话是否有work 5. 我在美国使用的曝光机是EVG 620，最贴的模式不是Vac contac, 而是V+H模式 (vaccum + Hard contact)，所以我建议原PO调整看看什麽模式会得到最近似的线宽 甚至我建议原PO换一台曝光机试试看。 6. SU-8会脱落我还是直觉认为曝光不足cross link未完全。但也可以再确认Silicon wafer表面是否清洁以及完全dehydration。 7. 原po线宽是用profilometer还是SEM去量的? 有的时候double check一下。 这是真的发生在我身上的事情，我之前使用的光学显微镜就可以在图片上测线宽。 有一阵子发觉所有线宽都变细了差距到0.5 um。交叉测试很久之後才确定是 显微镜有被动到所以线宽不准。 8. 照一下SEM 看一下你的结构够不够垂直。很多时候黄光技巧参数做不好的时候 结构上下不够垂直差距到两个micron, 这刚好是原PO的gap宽度，所以不可不慎。 以上就是参数外的检验方式。若以上都没问题的话那八九成要从参数着手去改了。 参数的话我看了一下原PO给的资料，大抵上都还好，唯有 上面推文有说了。datasheet上推荐的是95度。而且hotplate若加上铝箔， 有些讨论是说表面温度会降低个五到十度左右。这样一来一往差距离95度更大! 确实有些文献是利用较低的温度去做baking, 但是这意味着要大幅增加baking 时间。 原PO并没有增加baking时间。而且其实我本身用低温去做SU-8确实都会失败脱落。 另外SU-8某些系列也的确建议先由65度C以及95度C分两个阶段考， 甚至是用ramp的方式由65度C上升至95度C 在原PO要求线宽准确的情况下，的确值得一试。 所以 以上是小弟的看法。还欢迎板上众多高手一起分享。 ※ 引述《alfudimas (开始拼毕业!!)》之铭言： : 我最近在做SU-8，遇到一些问题 : 先说一下我的实验大概内容 : 我在做梳状结构 也就是一根一根长方形的beam (或称finger) : 长度95um 宽度5um 高度10um : beam和beam之间的gap是2um和3um两种设计 : 我是使用过期四年(但保存方法还算良好)的 SU-8 2010 : 目前遇到的问题是 : (1)用原厂的datasheet内的总能量去曝光 : gap会低於原设计的2um和3um (比对结果认为是过曝) : 降低曝光时间後，gap有增加，但附着度变差，甚至显影时会脱落 : (2)且显影时，会发生本来附着好好的 : 但因显影时间过久(datasheet的显影时间3min)，我又增加2~3min以上) : 图案因而脱落，与您所说的只要cross-linked，显影很久都不会脱落的结果不同 : 不知道是不是因为您的图案面积比我的大很多?? : (3)3um的设计，除了gap会缩小到2.5um左右以外，图案大致上成功 : 但2um的设计，gap会缩小到1.5um左右以外， : gap之间到目前为止，都无法成功显乾净。 : 我的SU-8制程流程 : 旋500转30秒 3000转40秒 : 软烤90度 3分钟 : 曝光总能量60~140mJ都有(曝光机37mW/s) : 曝後烤90度 4分钟 : 显影3分 4分 6分 7分 都有 : IPA 10~30秒 -- 本球队一切依法行政，谢谢指教。 --

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