※ 引述《jianhung ()》之銘言： : 大家好，想請教一下 : 目前我正利用S1818作曝光，塗佈厚度約2.5~3um : 而我的wafer已在前一道製程經過蝕刻 : 製作出長寬高 300x35x3.5um 的凸起結構，高度3.5um正是我指的階差 : 我的pattern是最小線寬線距4um的連續圖案，並且橫跨這個階差 : 做過無數次之後發現，階差上的線寬都會比較大(過曝) : 好的情況差0.5um(再現性差)，但通常會差到1~1.5um，造成線距過小 : 目前的想法是因為光阻的流動性，造成階差上的厚度較小，以至於過曝 : 不知道有沒有人做過類似製程，可以分享一下嗎? : 感恩 光阻厚度3 um而已 ，substrate 上高低就已經達到3.5 um差了... 高台上就算被光阻覆蓋，也是非常非常薄一層， 拿曝3um厚度的參數來曝 很薄很薄一層，當然會有問題 因為我不知道你的原本高台的圖形是怎樣以及接下來曝光的圖案是怎樣， 所以不知道線寬黃光後誤差到1.5um是不是很正常 但我覺得你也要考慮到你在塗佈好光阻拿去曝光時，因為光阻太薄加上階差太大， 所以substrate表面不平整。有高低差到數micron。 你曝光時wafer上高的地方已經頂到光罩了但低的地方離光罩還會有數micron的間距 這些間距就會造成你曝光時光線穿透光罩後即先擴散才會射進你的光阻 這樣線寬當然會增加。 解決辦法，第一是你用南微的EVG620，要嘗試用 vacuum contact(要接上o-ring) 看改善效果好不好 若依舊不好，可以改用厚光阻AZ。比方說光阻厚度10micron, 底下substrate雖然不平整 有3.5 micron的階差，但將較其上方厚度10micron的厚光阻， 可以讓光阻表面平整度會比光阻厚度只有3 um的好很多 -- 本球隊一切依法行政，謝謝指教。 --

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