※ 引述《jianhung ()》之铭言： : 大家好，想请教一下 : 目前我正利用S1818作曝光，涂布厚度约2.5~3um : 而我的wafer已在前一道制程经过蚀刻 : 制作出长宽高 300x35x3.5um 的凸起结构，高度3.5um正是我指的阶差 : 我的pattern是最小线宽线距4um的连续图案，并且横跨这个阶差 : 做过无数次之後发现，阶差上的线宽都会比较大(过曝) : 好的情况差0.5um(再现性差)，但通常会差到1~1.5um，造成线距过小 : 目前的想法是因为光阻的流动性，造成阶差上的厚度较小，以至於过曝 : 不知道有没有人做过类似制程，可以分享一下吗? : 感恩 光阻厚度3 um而已 ，substrate 上高低就已经达到3.5 um差了... 高台上就算被光阻覆盖，也是非常非常薄一层， 拿曝3um厚度的参数来曝 很薄很薄一层，当然会有问题 因为我不知道你的原本高台的图形是怎样以及接下来曝光的图案是怎样， 所以不知道线宽黄光後误差到1.5um是不是很正常 但我觉得你也要考虑到你在涂布好光阻拿去曝光时，因为光阻太薄加上阶差太大， 所以substrate表面不平整。有高低差到数micron。 你曝光时wafer上高的地方已经顶到光罩了但低的地方离光罩还会有数micron的间距 这些间距就会造成你曝光时光线穿透光罩後即先扩散才会射进你的光阻 这样线宽当然会增加。 解决办法，第一是你用南微的EVG620，要尝试用 vacuum contact(要接上o-ring) 看改善效果好不好 若依旧不好，可以改用厚光阻AZ。比方说光阻厚度10micron, 底下substrate虽然不平整 有3.5 micron的阶差，但将较其上方厚度10micron的厚光阻， 可以让光阻表面平整度会比光阻厚度只有3 um的好很多 -- 本球队一切依法行政，谢谢指教。 --

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