作者curiousming (Albert Lo)
看板NEMS
標題[問題] 摻雜後的功函數
時間Wed Feb 15 19:33:24 2012
hi 各位先進!!
想請教各位 當金屬摻雜到n半導體內功函數會怎樣變化
我舉AZO為例,我摻雜鋁(Al)到氧化鋅(ZnO)
參雜Al為增加電洞 氧化鋅的費米能階是往VB(價帶)移動
但這樣不就降低載子濃度?
那為何說參雜可以增加載子濃度?
假設
Al的功函數是4.3eV
ZnO的功函數是3.5eV
摻雜後摻雜農度決定定了我了功函數大小(決定費米能階)
但是功函數的值是否變化(調控)範圍也是4.3eV - 3.5eV ?
再請解惑.謝拉
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.115.41.152
1F：推 astushi:摻雜鋁~要取代的是鋅~會變n-type~功函數變小 02/15 23:11
2F：→ astushi:Fermi level位置你可以查Neamen CH.7 02/15 23:13
3F：→ nevinyrrals:為什麼你認為摻雜鋁是增加電洞? 02/16 01:32
4F：推 rainstonein:鋁三價,鋅兩價. 02/22 01:21