作者curiousming (Albert Lo)
看板NEMS
标题[问题] 掺杂後的功函数
时间Wed Feb 15 19:33:24 2012
hi 各位先进!!
想请教各位 当金属掺杂到n半导体内功函数会怎样变化
我举AZO为例,我掺杂铝(Al)到氧化锌(ZnO)
参杂Al为增加电洞 氧化锌的费米能阶是往VB(价带)移动
但这样不就降低载子浓度?
那为何说参杂可以增加载子浓度?
假设
Al的功函数是4.3eV
ZnO的功函数是3.5eV
掺杂後掺杂农度决定定了我了功函数大小(决定费米能阶)
但是功函数的值是否变化(调控)范围也是4.3eV - 3.5eV ?
再请解惑.谢拉
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.115.41.152
1F：推 astushi:掺杂铝~要取代的是锌~会变n-type~功函数变小 02/15 23:11
2F：→ astushi:Fermi level位置你可以查Neamen CH.7 02/15 23:13
3F：→ nevinyrrals:为什麽你认为掺杂铝是增加电洞? 02/16 01:32
4F：推 rainstonein:铝三价,锌两价. 02/22 01:21