作者salahey (明天晴天)
看板NEMS
標題[問題]鍍SiO2問題
時間Mon Feb 13 12:37:09 2012
各位版友好
小弟目前實驗所需要將SiO2鍍在石英wafer(wafer上有鋁電極)至少5um以上，
日前有問過學校的奈米中心方面，他們的反應是sputter、E-beam
鍍膜速度慢，而PECVD速度較快許多，不過規定PECVD不能使用有鍍上金屬
的wafer，因為怕汙染腔體, 但最重要的是這三種機台都無法鍍到5um以上的
厚度。
所以想請問有做過SiO2濺鍍的版友們，請問有沒有那裡的機台可以鍍
SiO2高於5um的厚度，且不受wafer上是否鍍有金屬的限制。
謝謝各位~
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◆ From: 140.112.38.83
1F：推 nevinyrrals:要弄這麼厚可能要考慮用像spin on glass的東西 02/14 04:05
2F：→ yasuhiro:我看過有人用E-Gun鍍.... 但是不知道品質好不好... 02/14 17:51
3F：推 jianhung:南科NDL可以進金屬 但不知道可不可以這麼厚 02/15 09:51
4F：→ jianhung:PECVD 02/15 09:51
5F：→ salahey:謝謝各位 02/15 13:56