作者salahey (明天晴天)
看板NEMS
标题[问题]镀SiO2问题
时间Mon Feb 13 12:37:09 2012
各位版友好
小弟目前实验所需要将SiO2镀在石英wafer(wafer上有铝电极)至少5um以上，
日前有问过学校的奈米中心方面，他们的反应是sputter、E-beam
镀膜速度慢，而PECVD速度较快许多，不过规定PECVD不能使用有镀上金属
的wafer，因为怕污染腔体, 但最重要的是这三种机台都无法镀到5um以上的
厚度。
所以想请问有做过SiO2溅镀的版友们，请问有没有那里的机台可以镀
SiO2高於5um的厚度，且不受wafer上是否镀有金属的限制。
谢谢各位~
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◆ From: 140.112.38.83
1F：推 nevinyrrals:要弄这麽厚可能要考虑用像spin on glass的东西 02/14 04:05
2F：→ yasuhiro:我看过有人用E-Gun镀.... 但是不知道品质好不好... 02/14 17:51
3F：推 jianhung:南科NDL可以进金属 但不知道可不可以这麽厚 02/15 09:51
4F：→ jianhung:PECVD 02/15 09:51
5F：→ salahey:谢谢各位 02/15 13:56