就你文章裡說的droplet材料跟介面現象的探討來看 現在EWD因為droplet裡面的dye愈來愈濃讓電壓愈來愈大 你可以先用最簡單的spin coating製程使用SU8之類的材料當介電層 最上層還是一層薄薄的Teflon或是Cytop 雖然電壓大 厚度厚 但是比較不會breakdown 這樣你可以先測試你的材料(droplet)需要多少電壓 再慢慢來調整介電層材料跟厚度 因為其他的沉積製程中，材料介電常數跟厚度都是算好的，要搭配驅動電壓跟反應時間 如果是原理相關的話其實只要了解一下Lippmann-Young's equation 就可以了 希望對你有幫助囉 ※ 引述《voices (總是昏睡中~)》之銘言： : 先說明我是外行的 第一次試作 沒有MEMS製程的background : 我主要是要作偏droplet材料跟介面現象的探討 比較偏純科學的部分 : 所以目前就是要先確定droplet下面那些layers的製程 : 就是我想問有關electrowetting的insulating layer的部分 : 我有大概查一下paper : 每個group的做法不太一樣 : Jason Heikenfeld的是用atomic layer deposition去coate Al2O3 : 他另一篇算偏技術整理的paper有說用Plasma-enhanced CVD也可以 : 他們的device弄出來的特色就是applied voltage很低 : 我應該是可以借到Plasma-enhaced CVD (PECVD)的設備 還沒去問 : 有看交大徐文祥老師他們家一篇paper : (要做的東西跟他們差太多 沒有看很多他們的paper) : 他們是用SU-8當insulating layer的材料 : 厚度跟Heikenfeld是的差不多 但是要用電壓還是很大 : 而且不是很清楚SU-8曝光之類有的沒的處理方式 : (感覺去問有PECVD的lab的人應該知道要怎麼弄?) : 目前看到最簡單的做法就是用只用Teflon coat上去電極上 (化材人的做法) : 電壓跟徐老師家的用的差不多 : 不過他們是用ionic liquids當droplet的材料 : 也有看到用直接在Silicon wafer上面長一層SiO2當insulating layer : 然後在coat PS當hydrophobic layer或是在上面長hydrophobic monolayer : 總之方式五花八門 我只知道厚度跟dielectric constant會影響電壓跟角度變化 : 還有就是Heikenfeld paper裡面提到會漏電跟degrade之類的情形 : 想請問一下一般做electrowetting的人 都怎麼決定製程 : 還是大家就是照學長姐留傳下來的方式去做 Orz : 除了直接用Teflon coat上去那個方法外 : 其他方法我都要另外去找做實驗的設備、買chemicals : (電壓方面實驗室已經設備了 不管高壓低壓 直流交流) : 方便度(或是說不方便度)都差不多 有點難決定要用哪個方式 : 其實我比較想用Heikenfeld的方式 可能是因為現在看的papaer大多是他的 : 但是有更簡單的方式 就會想用最簡單的那個 (直接coat Teflon) : 不過Heikenfeld提到Teflon這種fluoropolymer films的porousity的問題 : 會導致electric breakdown : 這樣又很難決定 : 我有想過先弄簡單的 然後開始先試做 : 邊做邊決定看要用哪種製程 : 不知版上有做相關研究的人建議是? --

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