就你文章里说的droplet材料跟介面现象的探讨来看 现在EWD因为droplet里面的dye愈来愈浓让电压愈来愈大 你可以先用最简单的spin coating制程使用SU8之类的材料当介电层 最上层还是一层薄薄的Teflon或是Cytop 虽然电压大 厚度厚 但是比较不会breakdown 这样你可以先测试你的材料(droplet)需要多少电压 再慢慢来调整介电层材料跟厚度 因为其他的沉积制程中，材料介电常数跟厚度都是算好的，要搭配驱动电压跟反应时间 如果是原理相关的话其实只要了解一下Lippmann-Young's equation 就可以了 希望对你有帮助罗 ※ 引述《voices (总是昏睡中~)》之铭言： : 先说明我是外行的 第一次试作 没有MEMS制程的background : 我主要是要作偏droplet材料跟介面现象的探讨 比较偏纯科学的部分 : 所以目前就是要先确定droplet下面那些layers的制程 : 就是我想问有关electrowetting的insulating layer的部分 : 我有大概查一下paper : 每个group的做法不太一样 : Jason Heikenfeld的是用atomic layer deposition去coate Al2O3 : 他另一篇算偏技术整理的paper有说用Plasma-enhanced CVD也可以 : 他们的device弄出来的特色就是applied voltage很低 : 我应该是可以借到Plasma-enhaced CVD (PECVD)的设备 还没去问 : 有看交大徐文祥老师他们家一篇paper : (要做的东西跟他们差太多 没有看很多他们的paper) : 他们是用SU-8当insulating layer的材料 : 厚度跟Heikenfeld是的差不多 但是要用电压还是很大 : 而且不是很清楚SU-8曝光之类有的没的处理方式 : (感觉去问有PECVD的lab的人应该知道要怎麽弄?) : 目前看到最简单的做法就是用只用Teflon coat上去电极上 (化材人的做法) : 电压跟徐老师家的用的差不多 : 不过他们是用ionic liquids当droplet的材料 : 也有看到用直接在Silicon wafer上面长一层SiO2当insulating layer : 然後在coat PS当hydrophobic layer或是在上面长hydrophobic monolayer : 总之方式五花八门 我只知道厚度跟dielectric constant会影响电压跟角度变化 : 还有就是Heikenfeld paper里面提到会漏电跟degrade之类的情形 : 想请问一下一般做electrowetting的人 都怎麽决定制程 : 还是大家就是照学长姐留传下来的方式去做 Orz : 除了直接用Teflon coat上去那个方法外 : 其他方法我都要另外去找做实验的设备、买chemicals : (电压方面实验室已经设备了 不管高压低压 直流交流) : 方便度(或是说不方便度)都差不多 有点难决定要用哪个方式 : 其实我比较想用Heikenfeld的方式 可能是因为现在看的papaer大多是他的 : 但是有更简单的方式 就会想用最简单的那个 (直接coat Teflon) : 不过Heikenfeld提到Teflon这种fluoropolymer films的porousity的问题 : 会导致electric breakdown : 这样又很难决定 : 我有想过先弄简单的 然後开始先试做 : 边做边决定看要用哪种制程 : 不知版上有做相关研究的人建议是? --

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