先說明我是外行的 第一次試作 沒有MEMS製程的background 我主要是要作偏droplet材料跟介面現象的探討 比較偏純科學的部分 所以目前就是要先確定droplet下面那些layers的製程 就是我想問有關electrowetting的insulating layer的部分 我有大概查一下paper 每個group的做法不太一樣 Jason Heikenfeld的是用atomic layer deposition去coate Al2O3 他另一篇算偏技術整理的paper有說用Plasma-enhanced CVD也可以 他們的device弄出來的特色就是applied voltage很低 我應該是可以借到Plasma-enhaced CVD (PECVD)的設備 還沒去問 有看交大徐文祥老師他們家一篇paper (要做的東西跟他們差太多 沒有看很多他們的paper) 他們是用SU-8當insulating layer的材料 厚度跟Heikenfeld是的差不多 但是要用電壓還是很大 而且不是很清楚SU-8曝光之類有的沒的處理方式 (感覺去問有PECVD的lab的人應該知道要怎麼弄?) 目前看到最簡單的做法就是用只用Teflon coat上去電極上 (化材人的做法) 電壓跟徐老師家的用的差不多 不過他們是用ionic liquids當droplet的材料 也有看到用直接在Silicon wafer上面長一層SiO2當insulating layer 然後在coat PS當hydrophobic layer或是在上面長hydrophobic monolayer 總之方式五花八門 我只知道厚度跟dielectric constant會影響電壓跟角度變化 還有就是Heikenfeld paper裡面提到會漏電跟degrade之類的情形 想請問一下一般做electrowetting的人 都怎麼決定製程 還是大家就是照學長姐留傳下來的方式去做 Orz 除了直接用Teflon coat上去那個方法外 其他方法我都要另外去找做實驗的設備、買chemicals (電壓方面實驗室已經設備了 不管高壓低壓 直流交流) 方便度(或是說不方便度)都差不多 有點難決定要用哪個方式 其實我比較想用Heikenfeld的方式 可能是因為現在看的papaer大多是他的 但是有更簡單的方式 就會想用最簡單的那個 (直接coat Teflon) 不過Heikenfeld提到Teflon這種fluoropolymer films的porousity的問題 會導致electric breakdown 這樣又很難決定 我有想過先弄簡單的 然後開始先試做 邊做邊決定看要用哪種製程 不知版上有做相關研究的人建議是? --

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