先说明我是外行的 第一次试作 没有MEMS制程的background 我主要是要作偏droplet材料跟介面现象的探讨 比较偏纯科学的部分 所以目前就是要先确定droplet下面那些layers的制程 就是我想问有关electrowetting的insulating layer的部分 我有大概查一下paper 每个group的做法不太一样 Jason Heikenfeld的是用atomic layer deposition去coate Al2O3 他另一篇算偏技术整理的paper有说用Plasma-enhanced CVD也可以 他们的device弄出来的特色就是applied voltage很低 我应该是可以借到Plasma-enhaced CVD (PECVD)的设备 还没去问 有看交大徐文祥老师他们家一篇paper (要做的东西跟他们差太多 没有看很多他们的paper) 他们是用SU-8当insulating layer的材料 厚度跟Heikenfeld是的差不多 但是要用电压还是很大 而且不是很清楚SU-8曝光之类有的没的处理方式 (感觉去问有PECVD的lab的人应该知道要怎麽弄?) 目前看到最简单的做法就是用只用Teflon coat上去电极上 (化材人的做法) 电压跟徐老师家的用的差不多 不过他们是用ionic liquids当droplet的材料 也有看到用直接在Silicon wafer上面长一层SiO2当insulating layer 然後在coat PS当hydrophobic layer或是在上面长hydrophobic monolayer 总之方式五花八门 我只知道厚度跟dielectric constant会影响电压跟角度变化 还有就是Heikenfeld paper里面提到会漏电跟degrade之类的情形 想请问一下一般做electrowetting的人 都怎麽决定制程 还是大家就是照学长姐留传下来的方式去做 Orz 除了直接用Teflon coat上去那个方法外 其他方法我都要另外去找做实验的设备、买chemicals (电压方面实验室已经设备了 不管高压低压 直流交流) 方便度(或是说不方便度)都差不多 有点难决定要用哪个方式 其实我比较想用Heikenfeld的方式 可能是因为现在看的papaer大多是他的 但是有更简单的方式 就会想用最简单的那个 (直接coat Teflon) 不过Heikenfeld提到Teflon这种fluoropolymer films的porousity的问题 会导致electric breakdown 这样又很难决定 我有想过先弄简单的 然後开始先试做 边做边决定看要用哪种制程 不知版上有做相关研究的人建议是? --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 198.82.19.38 ※ 编辑: voices 来自: 198.82.19.38 (09/24 00:57)