作者endlessbbs ()
站內NEMS
標題Re: [問題] 有關犧牲層材料的選擇
時間Fri Aug 5 10:57:03 2011
※ 引述《SkyLark2001 ( )》之銘言：
: 感謝您的詳細說明
: 照敘述判斷是你步驟第二十四步出現龜裂的情況
: 這邊還有兩個問題，第一是第24步nickel的厚度
: 第二是龜裂是什麼樣子?
: 是 1. 整片wafer全部都是均勻的龜裂
: 2. 龜裂痕跡跟步驟20的patterning有關
: 還是3. 龜裂痕跡跟步驟15的支柱有關
: 另外直接切入重點，推測什麼NI熔點過高，所以蒸鍍讓光阻軟化，或是鎳的硬力大於光阻
: 這類的都不是正確的主因。你問你周圍所有在用4620做lift-off的人，鍍完金屬後再
: 去除光阻前整個wafer表面光阻上的金屬層會不會龜裂?
: 我做過，4620上面鍍Cr/Ni然後 liftoff, 沒有(明顯的)龜裂。
: 建議你直接用一個空白的silicon wafer，直接做步驟22, 23, 24，看會不會龜裂。
: 會的話，答案最簡單，你的黃光參數要改，或是你光阻太舊有問題。
: 若不會龜裂，一樣是要改黃光參數，不過會麻煩很多
大大說的沒錯，是在步驟24出現問題
nickle厚度根據學長留下的文獻大約是40nm(我還在規劃階段尚未實作)
至於龜裂的情形應該是跟步驟15&20無關，看他留下的照片是Wafer周圍龜裂
大大所說的光阻過舊問題倒是很有可能
LAB做其他製程的學長用AZ去鍍Ni也有破裂的問題..(LAB光阻似乎都過期的..冏>)
PS1:步驟21那邊圖放錯了，應該是沒有PR剩Nickle結構
龜裂圖:
http://ppt.cc/YOCT
在這邊還是要再次感謝大大的熱心回覆，讓我有參考的方向>"<
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.134.32.117
1F：推 SkyLark2001:已經在邊緣了...其實不影響你的製程不是嗎? 08/05 14:08
2F：→ SkyLark2001:另外，這種龜裂，其實很常見...並不是光阻過期 08/05 14:08
3F：→ SkyLark2001:就是加熱的溫度不均勻罷了..你把hotplate溫度提高一點 08/05 14:09
4F：→ SkyLark2001:烤的時間也增加一點，應該就解決了 08/05 14:09
5F：→ endlessbbs:原來是這樣阿，受教了，謝謝大大不厭其煩的指導 08/08 10:38
6F：→ endlessbbs:之後若是還有疑問還請不吝給予小弟指導>"< 08/08 10:38