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标题Re: [问题] 有关牺牲层材料的选择
时间Fri Aug 5 10:57:03 2011
※ 引述《SkyLark2001 ( )》之铭言：
: 感谢您的详细说明
: 照叙述判断是你步骤第二十四步出现龟裂的情况
: 这边还有两个问题，第一是第24步nickel的厚度
: 第二是龟裂是什麽样子?
: 是 1. 整片wafer全部都是均匀的龟裂
: 2. 龟裂痕迹跟步骤20的patterning有关
: 还是3. 龟裂痕迹跟步骤15的支柱有关
: 另外直接切入重点，推测什麽NI熔点过高，所以蒸镀让光阻软化，或是镍的硬力大於光阻
: 这类的都不是正确的主因。你问你周围所有在用4620做lift-off的人，镀完金属後再
: 去除光阻前整个wafer表面光阻上的金属层会不会龟裂?
: 我做过，4620上面镀Cr/Ni然後 liftoff, 没有(明显的)龟裂。
: 建议你直接用一个空白的silicon wafer，直接做步骤22, 23, 24，看会不会龟裂。
: 会的话，答案最简单，你的黄光参数要改，或是你光阻太旧有问题。
: 若不会龟裂，一样是要改黄光参数，不过会麻烦很多
大大说的没错，是在步骤24出现问题
nickle厚度根据学长留下的文献大约是40nm(我还在规划阶段尚未实作)
至於龟裂的情形应该是跟步骤15&20无关，看他留下的照片是Wafer周围龟裂
大大所说的光阻过旧问题倒是很有可能
LAB做其他制程的学长用AZ去镀Ni也有破裂的问题..(LAB光阻似乎都过期的..冏>)
PS1:步骤21那边图放错了，应该是没有PR剩Nickle结构
龟裂图:
http://ppt.cc/YOCT
在这边还是要再次感谢大大的热心回覆，让我有参考的方向>"<
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.134.32.117
1F：推 SkyLark2001:已经在边缘了...其实不影响你的制程不是吗? 08/05 14:08
2F：→ SkyLark2001:另外，这种龟裂，其实很常见...并不是光阻过期 08/05 14:08
3F：→ SkyLark2001:就是加热的温度不均匀罢了..你把hotplate温度提高一点 08/05 14:09
4F：→ SkyLark2001:烤的时间也增加一点，应该就解决了 08/05 14:09
5F：→ endlessbbs:原来是这样阿，受教了，谢谢大大不厌其烦的指导 08/08 10:38
6F：→ endlessbbs:之後若是还有疑问还请不吝给予小弟指导>"< 08/08 10:38