作者endlessbbs ()
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標題Re: [問題] 有關犧牲層材料的選擇
時間Thu Aug 4 12:35:43 2011
先感謝大大熱心給予建議>"<
我把製程流程PO上來(PPT檔)，並再做個說明
大大可從第四頁開始看就好，網址:
http://ppt.cc/8W8l
我的元件是個類似懸臂的結構的電容式靜電感測器
我會先在晶圓上沉積Cr/Ni種子層後，沉積光阻定義並電鑄電性傳導支撐柱
之後將光阻一除再次沉積，定義底部圖形將底部的Ni/Cr蝕刻出定義樣子
之後再次移除、旋塗光阻當犧牲層，開始蒸鍍(PVD)懸臂結構的Ni薄膜
最後犧牲層會用有機溶劑移除
根據以前學長的文章，在做這到步驟時鎳薄膜會有破裂的問題
推測可能是Ni熔點過高，導致蒸鍍時腔體的高溫讓光阻軟化
加上鎳的應力遠大於光阻因此產生薄膜龜裂的現象
他嘗試過AZ-4620跟Polyimide都無效
所以想請問是否有方法或是其他材料可以改善這問題
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