作者endlessbbs ()
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标题Re: [问题] 有关牺牲层材料的选择
时间Thu Aug 4 12:35:43 2011
先感谢大大热心给予建议>"<
我把制程流程PO上来(PPT档)，并再做个说明
大大可从第四页开始看就好，网址:
http://ppt.cc/8W8l
我的元件是个类似悬臂的结构的电容式静电感测器
我会先在晶圆上沉积Cr/Ni种子层後，沉积光阻定义并电铸电性传导支撑柱
之後将光阻一除再次沉积，定义底部图形将底部的Ni/Cr蚀刻出定义样子
之後再次移除、旋涂光阻当牺牲层，开始蒸镀(PVD)悬臂结构的Ni薄膜
最後牺牲层会用有机溶剂移除
根据以前学长的文章，在做这到步骤时镍薄膜会有破裂的问题
推测可能是Ni熔点过高，导致蒸镀时腔体的高温让光阻软化
加上镍的应力远大於光阻因此产生薄膜龟裂的现象
他尝试过AZ-4620跟Polyimide都无效
所以想请问是否有方法或是其他材料可以改善这问题
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