作者achieveman (暫無)
看板NEMS
標題[問題] 詢問沉積5微米厚的二氧化矽注意事項
時間Wed Jul 13 13:35:40 2011
小弟想要嘗試用E-BEAM沉積二氧化矽於矽晶圓上,厚度約5微米.
想要問一下板上大大是否有人有過用E-BEAM加熱二氧化矽來沉積?
若有,我需要調整的參數或是注意事項為何?
我還蠻擔心到時二氧化矽層會裂開或脫落這種常見的現象會發生,
至於薄膜品質這倒是其次.還望板上強者能替小弟解惑,感謝!!
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◆ From: 140.112.38.245
1F：推 linkuanyu:在北微用嗎？如果是的話1.膜厚計要用新的2.tooling值請 07/13 20:47
2F：→ linkuanyu:詢問好心的北微人員3.我看你這要鍍很多次喔因為鍍二氧 07/13 20:48
3F：→ linkuanyu:化矽很燒靶材，一次放個兩三鍋吧。這個也先問問北微人員 07/13 20:49
4F：→ linkuanyu:品質跟真空度相關所以盡可能隔夜抽真空吧 07/13 20:50
5F：推 linkuanyu:我的經驗是兩鍋的靶材鍍6000A就很拚了 07/13 20:52
6F：推 huges0111:用爐管長應該比較適合 07/13 22:56
7F：推 s75287:兩鍋600nm 5um要16鍋.........XDDD 07/14 02:50
8F：推 s75287:我也想說要用爐管長比較對...... 07/14 02:51
9F：推 nevinyrrals:都用Si wafer了竟然不用thermal oxide 07/14 08:11
10F：→ achieveman:因為有一道製程是在已鍍銅薄膜上的基材進行...so... 07/16 08:37
11F：推 kuanun:Bonding? 07/17 11:42
12F：推 Zoma:PECVD較快 07/17 12:48
13F：推 Keelungman:推 CVD, 這應該才是正解 07/25 23:08
14F：推 paullai:這篇文章看到學長和同學的感覺真是奇妙～ 07/29 20:08