作者achieveman (暂无)
看板NEMS
标题[问题] 询问沉积5微米厚的二氧化矽注意事项
时间Wed Jul 13 13:35:40 2011
小弟想要尝试用E-BEAM沉积二氧化矽於矽晶圆上,厚度约5微米.
想要问一下板上大大是否有人有过用E-BEAM加热二氧化矽来沉积?
若有,我需要调整的参数或是注意事项为何?
我还蛮担心到时二氧化矽层会裂开或脱落这种常见的现象会发生,
至於薄膜品质这倒是其次.还望板上强者能替小弟解惑,感谢!!
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.38.245
1F：推 linkuanyu:在北微用吗？如果是的话1.膜厚计要用新的2.tooling值请 07/13 20:47
2F：→ linkuanyu:询问好心的北微人员3.我看你这要镀很多次喔因为镀二氧 07/13 20:48
3F：→ linkuanyu:化矽很烧靶材，一次放个两三锅吧。这个也先问问北微人员 07/13 20:49
4F：→ linkuanyu:品质跟真空度相关所以尽可能隔夜抽真空吧 07/13 20:50
5F：推 linkuanyu:我的经验是两锅的靶材镀6000A就很拚了 07/13 20:52
6F：推 huges0111:用炉管长应该比较适合 07/13 22:56
7F：推 s75287:两锅600nm 5um要16锅.........XDDD 07/14 02:50
8F：推 s75287:我也想说要用炉管长比较对...... 07/14 02:51
9F：推 nevinyrrals:都用Si wafer了竟然不用thermal oxide 07/14 08:11
10F：→ achieveman:因为有一道制程是在已镀铜薄膜上的基材进行...so... 07/16 08:37
11F：推 kuanun:Bonding? 07/17 11:42
12F：推 Zoma:PECVD较快 07/17 12:48
13F：推 Keelungman:推 CVD, 这应该才是正解 07/25 23:08
14F：推 paullai:这篇文章看到学长和同学的感觉真是奇妙～ 07/29 20:08