作者kuanun (天翔)
看板NEMS
標題Re: [問題] PMMA as mask dry etch SiNx 問題 @@
時間Sat Jun 25 04:37:33 2011
其實這跟 SiNx 的 Deposition 參數也很有關係
我們試過用不同的參數/機台長 SiNx 在同樣條件下吃 Etching Rate 差滿多的
我們 LAB 一直都是用奈米科技中心的 E-BEAM 寫 Photonic Crystal Pattern
大約直徑 500nm 左右的洞陣列，寫在 PMMA 上用奈科 2F 的 ICPRIE 轉到
140nm SiN 後再吃到 InGaAsP/InP 上
那台 ICPRIE 用的是 CHF3 + O2, 有興趣可以去問問看
不過 Substrate 限 Si InP GaAs
而且奈科也有 PECVD 可以搭配 TRY 參數試蝕刻條件
記得去問問看...因為那台 ICP-RIE 生意不太好 囧
BY ICP-RIE 過氣管理員上..
※ 引述《tingyu1027 (tingyu1027)》之銘言：
: 實驗上遇到一些問題, 不知道各位有遇到這些問題嗎
: 最近使用乾蝕刻..用PMMA A5 顯影後當mask (spin 2000rpm, 45sec, thinkness ~528nm)
: 用交大奈中的HDP-RIE...要etching SiNx (~400nm)
: 試過了許多參數, PMMA都吃很快 >"<
: 有甚麼好的配方嗎 ??, 不管是ICP power等等的...
: 謝謝個位指教..^^
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◆ From: 123.195.25.101
1F：推 tingyu1027:太開心這寶貴的意見 ^^..謝謝, 我會去試試,..感恩好人~ 06/25 09:56