作者kuanun (天翔)
看板NEMS
标题Re: [问题] PMMA as mask dry etch SiNx 问题 @@
时间Sat Jun 25 04:37:33 2011
其实这跟 SiNx 的 Deposition 参数也很有关系
我们试过用不同的参数/机台长 SiNx 在同样条件下吃 Etching Rate 差满多的
我们 LAB 一直都是用奈米科技中心的 E-BEAM 写 Photonic Crystal Pattern
大约直径 500nm 左右的洞阵列，写在 PMMA 上用奈科 2F 的 ICPRIE 转到
140nm SiN 後再吃到 InGaAsP/InP 上
那台 ICPRIE 用的是 CHF3 + O2, 有兴趣可以去问问看
不过 Substrate 限 Si InP GaAs
而且奈科也有 PECVD 可以搭配 TRY 参数试蚀刻条件
记得去问问看...因为那台 ICP-RIE 生意不太好 囧
BY ICP-RIE 过气管理员上..
※ 引述《tingyu1027 (tingyu1027)》之铭言：
: 实验上遇到一些问题, 不知道各位有遇到这些问题吗
: 最近使用乾蚀刻..用PMMA A5 显影後当mask (spin 2000rpm, 45sec, thinkness ~528nm)
: 用交大奈中的HDP-RIE...要etching SiNx (~400nm)
: 试过了许多参数, PMMA都吃很快 >"<
: 有甚麽好的配方吗 ??, 不管是ICP power等等的...
: 谢谢个位指教..^^
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◆ From: 123.195.25.101
1F：推 tingyu1027:太开心这宝贵的意见 ^^..谢谢, 我会去试试,..感恩好人~ 06/25 09:56