謝謝您的回答 我的步驟就是先放小球 度Cr 弄掉小球 KOH蝕刻 RIE是放小球後 度Cr前做的 並沒有度第二層Cr 表面太髒阿.....確實如您所說不能用piranha因為小球是有機物 我會試試用金跟Cr 來做做看 再一次謝謝您的回答 ※ 引述《SkyLark2001 ( )》之銘言： : 我再看了一次原PO的文章 : 其實我看不是很明白原PO的製程步驟 : 不過既然RIE只有開O2 plasma, 所以不會對Silicon表面有影響 : 所以我上一篇文章看看就好。跟蝕刻後的表面粗糙度無關 : 而是原PO第二次鍍Cr時substrate表面太髒導致附著力不佳。 : 改善方法? 第一還是先鍍一層Au 確定不是因為KOH吃Cr : 若這一點排除，還是不行，那可能無解。因為我想你表面的"小球"應該無法承受 : 任何Solvent或是Piranha的清洗 : 我很好奇你第二次鍍Cr的時候你第一層的Cr 在哪裡? : 你若是沒辦法在第二次鍍Cr之前讓你substrate夠乾淨，基本上應該無解。 : RIE 的O2 plasma專門燒有機的，會讓substrate表面更乾淨，不會因此讓si跟Cr黏著 : 性變差。除非你表面的有機沒有燒乾淨。SiO2或是SiNx跟Cr的黏著性都不錯。 : ※ 引述《SkyLark2001 ( )》之銘言： : : 我瀏覽一下Cr的濕蝕刻並沒看到KOH : : http://www.sut.ac.th/engineering/electrical/mems/wet_etchants1.pdf : : 但表中確實有些含OH-的溶液，所以KOH到底會不會吃Cr不確定 : : 不過，你用過RIE蝕刻過的Silicon 表面太粗糙，粗糙度大於Cr的厚度，Cr當然沒辦法 : : 順利完整覆蓋保護底下的Silicon，所以KOH滲進去蝕刻Silicon，造成你整個表面的崩潰 : : 我建議第一你把金屬鍍厚一點，然後Cr拿來當黏著層就好，再度一層金 : : 應該是你的Acetong或是這一類的solvent沒有洗乾淨，或是鍍金屬前沒徹底dehydration : : "只要substrate表面乾淨，Cr跟Ti是兩種最普遍用來當黏著層的金屬"。 : : 若Cr沒有用，基本上也不用試其他金屬了 : : 我前面推文有說，用王水就可以了，沒有很困難，不過請在抽風櫃裡做，避免吸入蒸氣 : : DRIE是非等向性蝕刻，你要做成到金字塔形狀，有可能。Passivation大於etch就可達到 : : 但你若不是玩DRIE的老手，或是詳知運作原理的話，試參數有難度。 : : 而且試出來的倒三角形深寬比會頗大。 : : 你一開始文章有說Cr原先在KOH裡面OK，所以基本上可假設KOH不吃Cr(短時間), : : 所以假設是表面粗糙度的問題，或是假設你表面RIE之後不夠乾淨。 : : 所以我的建議是第一加厚Cr, 或是多加Au : : 第二是RIE之後把你的subsrate再去用Piranha然後BHF(或稱 BOE)清洗。 : : 洗完記得Dehydration徹底一點 --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 72.177.118.79