谢谢您的回答 我的步骤就是先放小球 度Cr 弄掉小球 KOH蚀刻 RIE是放小球後 度Cr前做的 并没有度第二层Cr 表面太脏阿.....确实如您所说不能用piranha因为小球是有机物 我会试试用金跟Cr 来做做看 再一次谢谢您的回答 ※ 引述《SkyLark2001 ( )》之铭言： : 我再看了一次原PO的文章 : 其实我看不是很明白原PO的制程步骤 : 不过既然RIE只有开O2 plasma, 所以不会对Silicon表面有影响 : 所以我上一篇文章看看就好。跟蚀刻後的表面粗糙度无关 : 而是原PO第二次镀Cr时substrate表面太脏导致附着力不佳。 : 改善方法? 第一还是先镀一层Au 确定不是因为KOH吃Cr : 若这一点排除，还是不行，那可能无解。因为我想你表面的"小球"应该无法承受 : 任何Solvent或是Piranha的清洗 : 我很好奇你第二次镀Cr的时候你第一层的Cr 在哪里? : 你若是没办法在第二次镀Cr之前让你substrate够乾净，基本上应该无解。 : RIE 的O2 plasma专门烧有机的，会让substrate表面更乾净，不会因此让si跟Cr黏着 : 性变差。除非你表面的有机没有烧乾净。SiO2或是SiNx跟Cr的黏着性都不错。 : ※ 引述《SkyLark2001 ( )》之铭言： : : 我浏览一下Cr的湿蚀刻并没看到KOH : : http://www.sut.ac.th/engineering/electrical/mems/wet_etchants1.pdf : : 但表中确实有些含OH-的溶液，所以KOH到底会不会吃Cr不确定 : : 不过，你用过RIE蚀刻过的Silicon 表面太粗糙，粗糙度大於Cr的厚度，Cr当然没办法 : : 顺利完整覆盖保护底下的Silicon，所以KOH渗进去蚀刻Silicon，造成你整个表面的崩溃 : : 我建议第一你把金属镀厚一点，然後Cr拿来当黏着层就好，再度一层金 : : 应该是你的Acetong或是这一类的solvent没有洗乾净，或是镀金属前没彻底dehydration : : "只要substrate表面乾净，Cr跟Ti是两种最普遍用来当黏着层的金属"。 : : 若Cr没有用，基本上也不用试其他金属了 : : 我前面推文有说，用王水就可以了，没有很困难，不过请在抽风柜里做，避免吸入蒸气 : : DRIE是非等向性蚀刻，你要做成到金字塔形状，有可能。Passivation大於etch就可达到 : : 但你若不是玩DRIE的老手，或是详知运作原理的话，试参数有难度。 : : 而且试出来的倒三角形深宽比会颇大。 : : 你一开始文章有说Cr原先在KOH里面OK，所以基本上可假设KOH不吃Cr(短时间), : : 所以假设是表面粗糙度的问题，或是假设你表面RIE之後不够乾净。 : : 所以我的建议是第一加厚Cr, 或是多加Au : : 第二是RIE之後把你的subsrate再去用Piranha然後BHF(或称 BOE)清洗。 : : 洗完记得Dehydration彻底一点 --

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