作者Jeffch (Jeff)
看板NEMS
標題Re: [問題] RIE 蝕刻
時間Thu Nov 25 06:14:20 2010
※ 引述《knoben (pop)》之銘言:
: 謝謝Jeff兄的回答 我的小球大小大概幾個micron 我試過3 跟6 micron
那RIE後diameter剩多少呢?如果是6 micron吃到剩3 micon那etching時間還蠻久的說。
另快吃掉以後Bead的高度剩多少呢?
: 大概也是要蝕刻這麼深
: 死掉的意思是 用KOH反應以後 我用肉眼看矽的表面已經跟KOH反應了
你是說原本該是被Cr覆蓋的地方也開始反應嗎?
: 我也在想有可能是是表面改變造成adhesion不好 因為在最糟的情況
: 我看到KOH裡面有Cr的懸浮
: 前面基隆男大有提到SiO2的可能 所以我才在想明天要用玻璃去度Cr看看黏著性怎樣的
: 然後再來回報的 請問一下SiO2對Cr黏著力會比較爛嗎??
oxide對金屬都是比較差的,不過Cr應該還不錯
: 如果沒有這個問題 Cr確實黏蠻好的 我試過鍍Au Ag Cu Ni Cr 在矽上面
: 金跟銀很容易弄掉 甚至用膠帶就可以了 Cu難一點 Ni黏的也不錯可是要很高溫
如果先把native oxide吃掉會黏得好一點
: 我知道Cr/Au也很不賴
: 可是由於之後的用途 當保護層的金屬要移掉 所以用Cr/Au我就不知道要怎麼移掉了
Cr/Au是指下面一層Cr當Adhesive Layer上面一層Au是主要的MASK,所以可以先用
Gold Etchant (TFA,...)把Au先吃掉再用Cr Etchant (Cr-7,...)吃Cr。
: 什麼是DRIE呢?? 還要請教一下 謝謝
DRIE是Deep-RIE,可較一般RIE擁有更高的Aspect Ratio和更好的Selectivity。只要10um
的光阻就足以吃穿整片wafer。
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