作者Jeffch (Jeff)
看板NEMS
标题Re: [问题] RIE 蚀刻
时间Thu Nov 25 06:14:20 2010
※ 引述《knoben (pop)》之铭言:
: 谢谢Jeff兄的回答 我的小球大小大概几个micron 我试过3 跟6 micron
那RIE後diameter剩多少呢?如果是6 micron吃到剩3 micon那etching时间还蛮久的说。
另快吃掉以後Bead的高度剩多少呢?
: 大概也是要蚀刻这麽深
: 死掉的意思是 用KOH反应以後 我用肉眼看矽的表面已经跟KOH反应了
你是说原本该是被Cr覆盖的地方也开始反应吗?
: 我也在想有可能是是表面改变造成adhesion不好 因为在最糟的情况
: 我看到KOH里面有Cr的悬浮
: 前面基隆男大有提到SiO2的可能 所以我才在想明天要用玻璃去度Cr看看黏着性怎样的
: 然後再来回报的 请问一下SiO2对Cr黏着力会比较烂吗??
oxide对金属都是比较差的,不过Cr应该还不错
: 如果没有这个问题 Cr确实黏蛮好的 我试过镀Au Ag Cu Ni Cr 在矽上面
: 金跟银很容易弄掉 甚至用胶带就可以了 Cu难一点 Ni黏的也不错可是要很高温
如果先把native oxide吃掉会黏得好一点
: 我知道Cr/Au也很不赖
: 可是由於之後的用途 当保护层的金属要移掉 所以用Cr/Au我就不知道要怎麽移掉了
Cr/Au是指下面一层Cr当Adhesive Layer上面一层Au是主要的MASK,所以可以先用
Gold Etchant (TFA,...)把Au先吃掉再用Cr Etchant (Cr-7,...)吃Cr。
: 什麽是DRIE呢?? 还要请教一下 谢谢
DRIE是Deep-RIE,可较一般RIE拥有更高的Aspect Ratio和更好的Selectivity。只要10um
的光阻就足以吃穿整片wafer。
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