※ 引述《knoben (pop)》之銘言： : 各位大家好 : 小弟最近在做RIE蝕刻遇到一些問題 : 如果大家有人有經驗的話 請給小弟一點建議或方向 謝謝 : 我們實驗室想要用polystyrene小球當mask然後度上一層Cr以後 把小球弄掉 : 接著用KOH 蝕刻(100)的矽板 到這裡我可以弄得出來 Cr在KOH裡也相當穩定 : 可是接下來當我想要用RIE把小球弄小也就是變成非緊密排列(non close packed)時 : 出現問題 我還是可以把小球弄小 也可以度上Cr 可是這時候的Cr在KOH裡很不穩定 可以請教一下Beads大小嗎?Etching Depth? : 感覺很像紙糊的 一下就死了 不知道是為什麼 一下就死了是指??是像Adhesion不好會剝落嗎? : 我猜是矽板被RIE打過以後沒辦法跟Cr黏的很好 可是我不確定 而且我沒有用氟化物去打 : 我知道矽板會跟氟化物反應 : 還請有經驗的人給小弟一點方向 謝謝 : 我用的RIE條件是 Ar 10sccm O2 35sccm 60W : Cr是用thermal evaporator鍍的 0.1A/sec 30nm Cr好像還是會和強鹼反應，要不要試試看不同的Silicon Etchant 小弟之前也有做過類似的事情(PS>RIE Shrink>Deposition>Lift-off)不過是鍍Au做別的 用途，老實說adhesion蠻差的，很容易剝落，不過Cr的Adhsion應該是比Au好多了，我有 看過Paper是用Cr/Au做為KOH的EtchingMask，您也可試試看。 前面有大大回說可能是SiO2的問題，不過SiO2相較於Si應該更難被KOH吃吧，比較可能的 是造成Adhesion問題。 不曉得您需要的Aspect Ratio是多少，否則DRIE是蠻方便的選擇。 p.s.原PO是在UT-MRC做的嗎? :) --

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