※ 引述《knoben (pop)》之铭言： : 各位大家好 : 小弟最近在做RIE蚀刻遇到一些问题 : 如果大家有人有经验的话 请给小弟一点建议或方向 谢谢 : 我们实验室想要用polystyrene小球当mask然後度上一层Cr以後 把小球弄掉 : 接着用KOH 蚀刻(100)的矽板 到这里我可以弄得出来 Cr在KOH里也相当稳定 : 可是接下来当我想要用RIE把小球弄小也就是变成非紧密排列(non close packed)时 : 出现问题 我还是可以把小球弄小 也可以度上Cr 可是这时候的Cr在KOH里很不稳定 可以请教一下Beads大小吗?Etching Depth? : 感觉很像纸糊的 一下就死了 不知道是为什麽 一下就死了是指??是像Adhesion不好会剥落吗? : 我猜是矽板被RIE打过以後没办法跟Cr黏的很好 可是我不确定 而且我没有用氟化物去打 : 我知道矽板会跟氟化物反应 : 还请有经验的人给小弟一点方向 谢谢 : 我用的RIE条件是 Ar 10sccm O2 35sccm 60W : Cr是用thermal evaporator镀的 0.1A/sec 30nm Cr好像还是会和强硷反应，要不要试试看不同的Silicon Etchant 小弟之前也有做过类似的事情(PS>RIE Shrink>Deposition>Lift-off)不过是镀Au做别的 用途，老实说adhesion蛮差的，很容易剥落，不过Cr的Adhsion应该是比Au好多了，我有 看过Paper是用Cr/Au做为KOH的EtchingMask，您也可试试看。 前面有大大回说可能是SiO2的问题，不过SiO2相较於Si应该更难被KOH吃吧，比较可能的 是造成Adhesion问题。 不晓得您需要的Aspect Ratio是多少，否则DRIE是蛮方便的选择。 p.s.原PO是在UT-MRC做的吗? :) --

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