※ 引述《panzerfausty (海王子)》之銘言： : ※ 引述《s75287 (彈珠汽水)》之銘言： : : 我現在substrate 是 glass : : 上面有一層ITO : : ITO上面有一層 Al : : 我想問如果我想用濕蝕刻ITO 當我先做好第一層Al的的圖案後 : : 我用 HCl+HNO3+H2O去濕蝕刻ITO 這樣Al會不會被蝕刻?? : : 因為我想用 lift-off 製程作 Al圖案 所以蝕刻ITO時候 會沒有光阻 : 小弟我對ITO濕蝕刻沒有經驗,但還是對原PO的方式有些懷疑... : 鋁是兩性元素,活性又高,在HCl/HNO3中應會起反應... : 用一般RIE硬做borbardment etch又會傷到上層的鋁,所以建議您是否找得到 : 或借得到microwave plasma etcher,用H2O plasma(一般晶片製造上用來乾 : 式去光阻的機台啦)去"反應"掉ITO,會有您想像不到的奇效喔! 這方法 應該不可行 因為我曾經用過 Cl2 氣體乾性蝕刻 ITO 之後發現 PR有點難去除乾淨 所以曾經用過上述機台去除 ITO不會被去除 PR因為變質了 也去不太掉 反而是放進去處理有機物的 Pirahna (食人魚) 硫酸+雙氧水 (1:1) 加熱100度 ITO 被全部吃光..... 也因為乾蝕刻 反而會導致光阻弄不掉....所以我想換個方法 目前看來 還是得回到乾蝕刻.... 或者是 草酸蝕刻ITO是否會好一點??? Al還是會被吃掉嗎?! -- ccfg ▊██ ˙ ▍ ▏ ▆▅▄▃▂▂▃▄▃▂▃▅▄▃▃▂▁▁▁▁▁▁▁ ▉ ██○▎ ▏ ▏█ ˙ 。 ▇▇▇▇▇▇▇█ 。 。◣██◢█▁▂▂▄◣ ▏◣█◤ ▁▂▃▄▃▂▁ ◥ ˙█ 。 ○ ◢◢▇▆▅▃▅▆▇ █ ◣▃▄▅▇ ｓ７５２８７ ◣ ▇▆▅▄▃▂▃▄▅▆▇◢彈 珠 汽 水 █◣ PTT2個人板:RaMuNe-75287 ▆▅▄▃▁▁▄▅▆ ▁▁▂▃██▂▁ --

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