※ 引述《panzerfausty (海王子)》之铭言： : ※ 引述《s75287 (弹珠汽水)》之铭言： : : 我现在substrate 是 glass : : 上面有一层ITO : : ITO上面有一层 Al : : 我想问如果我想用湿蚀刻ITO 当我先做好第一层Al的的图案後 : : 我用 HCl+HNO3+H2O去湿蚀刻ITO 这样Al会不会被蚀刻?? : : 因为我想用 lift-off 制程作 Al图案 所以蚀刻ITO时候 会没有光阻 : 小弟我对ITO湿蚀刻没有经验,但还是对原PO的方式有些怀疑... : 铝是两性元素,活性又高,在HCl/HNO3中应会起反应... : 用一般RIE硬做borbardment etch又会伤到上层的铝,所以建议您是否找得到 : 或借得到microwave plasma etcher,用H2O plasma(一般晶片制造上用来乾 : 式去光阻的机台啦)去"反应"掉ITO,会有您想像不到的奇效喔! 这方法 应该不可行 因为我曾经用过 Cl2 气体乾性蚀刻 ITO 之後发现 PR有点难去除乾净 所以曾经用过上述机台去除 ITO不会被去除 PR因为变质了 也去不太掉 反而是放进去处理有机物的 Pirahna (食人鱼) 硫酸+双氧水 (1:1) 加热100度 ITO 被全部吃光..... 也因为乾蚀刻 反而会导致光阻弄不掉....所以我想换个方法 目前看来 还是得回到乾蚀刻.... 或者是 草酸蚀刻ITO是否会好一点??? Al还是会被吃掉吗?! -- ccfg ▊██ ˙ ▍ ▏ ▆▅▄▃▂▂▃▄▃▂▃▅▄▃▃▂▁▁▁▁▁▁▁ ▉ ██○▎ ▏ ▏█ ˙ 。 ▇▇▇▇▇▇▇█ 。 。◣██◢█▁▂▂▄◣ ▏◣█◤ ▁▂▃▄▃▂▁ ◥ ˙█ 。 ○ ◢◢▇▆▅▃▅▆▇ █ ◣▃▄▅▇ ｓ７５２８７ ◣ ▇▆▅▄▃▂▃▄▅▆▇◢弹 珠 汽 水 █◣ PTT2个人板:RaMuNe-75287 ▆▅▄▃▁▁▄▅▆ ▁▁▂▃██▂▁ --

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