作者panzerfausty (海王子)
看板NEMS
標題Re: [問題] 蝕刻問題
時間Fri Feb 12 23:00:59 2010
※ 引述《s75287 (彈珠汽水)》之銘言：
: 我現在substrate 是 glass
: 上面有一層ITO
: ITO上面有一層 Al
: 我想問如果我想用濕蝕刻ITO 當我先做好第一層Al的的圖案後
: 我用 HCl+HNO3+H2O去濕蝕刻ITO 這樣Al會不會被蝕刻??
: 因為我想用 lift-off 製程作 Al圖案 所以蝕刻ITO時候 會沒有光阻
小弟我對ITO濕蝕刻沒有經驗,但還是對原PO的方式有些懷疑...
鋁是兩性元素,活性又高,在HCl/HNO3中應會起反應...
用一般RIE硬做borbardment etch又會傷到上層的鋁,所以建議您是否找得到
或借得到microwave plasma etcher,用H2O plasma(一般晶片製造上用來乾
式去光阻的機台啦)去"反應"掉ITO,會有您想像不到的奇效喔!
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