作者panzerfausty (海王子)
看板NEMS
标题Re: [问题] 蚀刻问题
时间Fri Feb 12 23:00:59 2010
※ 引述《s75287 (弹珠汽水)》之铭言：
: 我现在substrate 是 glass
: 上面有一层ITO
: ITO上面有一层 Al
: 我想问如果我想用湿蚀刻ITO 当我先做好第一层Al的的图案後
: 我用 HCl+HNO3+H2O去湿蚀刻ITO 这样Al会不会被蚀刻??
: 因为我想用 lift-off 制程作 Al图案 所以蚀刻ITO时候 会没有光阻
小弟我对ITO湿蚀刻没有经验,但还是对原PO的方式有些怀疑...
铝是两性元素,活性又高,在HCl/HNO3中应会起反应...
用一般RIE硬做borbardment etch又会伤到上层的铝,所以建议您是否找得到
或借得到microwave plasma etcher,用H2O plasma(一般晶片制造上用来乾
式去光阻的机台啦)去"反应"掉ITO,会有您想像不到的奇效喔!
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