作者nitsao (123)
看板NEMS
標題[問題] 如何蝕刻300微米的Si
時間Thu Dec 17 09:25:46 2009
請問有沒有人蝕刻過300微米左右的Si
我把用CMP磨薄的Si 用bonding的方式黏到另一基板上
如果pattern上面那塊Si
有部分區域要吃穿到下面那塊的基板露出來
請問有蝕刻的方式嗎
如果有的話 蝕刻率大概如何？
謝謝
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 118.160.69.177
1F：推 leox243:KOH去硬吃，650um的wafer都可以吃光光= = 12/17 11:12
2F：推 tzjwinfcha:KOH,TMAH,ICP 12/17 12:34
3F：推 hungin:要留pattern的話就用ICP吧 12/17 12:47
4F：推 forceout:KOH 1.8~2u/m TMAH 0.8~1u/m ICP交給樓下 12/17 14:38
5F：推 kuanun:我的 ICP 機台只能吃 III-V，不能吃 Si，樓下有請 12/17 18:52
6F：→ nitsao:樓下沒ICP 哈 看起來KOH可以喔 KOH便宜多了 感謝~ 12/17 18:52
7F：→ panzerfausty:STS Pegasus可以 12/25 01:10