作者nitsao (123)
看板NEMS
标题[问题] 如何蚀刻300微米的Si
时间Thu Dec 17 09:25:46 2009
请问有没有人蚀刻过300微米左右的Si
我把用CMP磨薄的Si 用bonding的方式黏到另一基板上
如果pattern上面那块Si
有部分区域要吃穿到下面那块的基板露出来
请问有蚀刻的方式吗
如果有的话 蚀刻率大概如何？
谢谢
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 118.160.69.177
1F：推 leox243:KOH去硬吃，650um的wafer都可以吃光光= = 12/17 11:12
2F：推 tzjwinfcha:KOH,TMAH,ICP 12/17 12:34
3F：推 hungin:要留pattern的话就用ICP吧 12/17 12:47
4F：推 forceout:KOH 1.8~2u/m TMAH 0.8~1u/m ICP交给楼下 12/17 14:38
5F：推 kuanun:我的 ICP 机台只能吃 III-V，不能吃 Si，楼下有请 12/17 18:52
6F：→ nitsao:楼下没ICP 哈 看起来KOH可以喔 KOH便宜多了 感谢~ 12/17 18:52
7F：→ panzerfausty:STS Pegasus可以 12/25 01:10