作者newbrain (matlab=中學數學)
看板NEMS
標題[問題] 均勻性
時間Tue Oct 6 14:10:27 2009
四吋的單晶矽晶圓，上面成長60nm的二氧化矽
我們實驗室用光學干涉的方式，在這個試片上做出周期250nm的周期性的點陣列(光阻材質
利用RIE我將圖形轉移到二氧化矽
再用ICP將圖形轉移到矽上 形成二維的矽的柱陣列
我後來又用HSQ(一種spin on glass)將它平坦化
然後用RIE將HSQ吃到矽柱子的中間
再用一次RIE將矽柱子的上半部整體蝕刻變細
做成了大柱子上面有小柱子的複層結構
不過現在有一個問題 就是做出來的結構均勻性並不好
不知道問題究竟會在哪裡?
我自已是在想可能第一步干涉定義出來的點陣列就有些不均勻了
造成後續的蝕刻製程步驟愈多
不均勻性就愈明顯
有沒有人也是在做周期性的結構
可以給點意見呢? 謝謝!
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◆ From: 140.112.33.149
1F：推 Keelungman:可考慮用你的方式先做個簡單的金屬點陣列, 然後照 SEM 10/06 23:59
2F：→ Keelungman:來確認是不是第一步驟就有問題 10/07 00:01
3F：推 forceout:結構均勻性是指?大小不一?分布情形如何? 10/07 16:14
4F：→ forceout:第一步應該可以用confocal觀察 10/07 16:16