作者newbrain (matlab=中学数学)
看板NEMS
标题[问题] 均匀性
时间Tue Oct 6 14:10:27 2009
四寸的单晶矽晶圆，上面成长60nm的二氧化矽
我们实验室用光学干涉的方式，在这个试片上做出周期250nm的周期性的点阵列(光阻材质
利用RIE我将图形转移到二氧化矽
再用ICP将图形转移到矽上 形成二维的矽的柱阵列
我後来又用HSQ(一种spin on glass)将它平坦化
然後用RIE将HSQ吃到矽柱子的中间
再用一次RIE将矽柱子的上半部整体蚀刻变细
做成了大柱子上面有小柱子的复层结构
不过现在有一个问题 就是做出来的结构均匀性并不好
不知道问题究竟会在哪里?
我自已是在想可能第一步干涉定义出来的点阵列就有些不均匀了
造成後续的蚀刻制程步骤愈多
不均匀性就愈明显
有没有人也是在做周期性的结构
可以给点意见呢? 谢谢!
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.33.149
1F：推 Keelungman:可考虑用你的方式先做个简单的金属点阵列, 然後照 SEM 10/06 23:59
2F：→ Keelungman:来确认是不是第一步骤就有问题 10/07 00:01
3F：推 forceout:结构均匀性是指?大小不一?分布情形如何? 10/07 16:14
4F：→ forceout:第一步应该可以用confocal观察 10/07 16:16