作者tzjwinfcha (TZJ)
看板NEMS
標題[問題] 4吋矽晶圓doping
時間Tue Jul 21 21:13:31 2009
沒有作過doping的經驗
是否可以透過doping製程製作出形狀呢??
陣列出數個20um * 20um的正方形區域，其間隔都是10um
感謝
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MEMS一級棒
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 219.80.141.37
※ 編輯: tzjwinfcha 來自: 219.80.141.37 (07/21 21:15)
1F：推 lightnsalt:離子佈植？ 07/22 00:35
2F：推 littleghost1:離子佈值可以用光阻，熱擴散可用濕氧或300nm以上SiN 07/22 01:26
3F：→ tzjwinfcha:了解，感謝分享 07/22 07:21
4F：→ tzjwinfcha:NDL的中電流離子佈值機，光阻好像不能進@@ 07/22 10:04
5F：→ tzjwinfcha:有人有其他的SOURCE嗎? 07/22 10:04
6F：推 littleghost1:工研院電光所研發實驗中心可進光阻... 07/22 14:34
7F：→ er2:NDL 離子佈值機如果可以進光阻吧 07/22 16:57
8F：→ tzjwinfcha:感謝感謝，明天馬上去問 07/22 22:07
9F：→ tzjwinfcha:NDL可以進光阻，需硬烤 07/24 12:40