作者tzjwinfcha (TZJ)
看板NEMS
标题[问题] 4寸矽晶圆doping
时间Tue Jul 21 21:13:31 2009
没有作过doping的经验
是否可以透过doping制程制作出形状呢??
阵列出数个20um * 20um的正方形区域,其间隔都是10um
感谢
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MEMS一级棒
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◆ From: 219.80.141.37
※ 编辑: tzjwinfcha 来自: 219.80.141.37 (07/21 21:15)
1F:推 lightnsalt:离子布植? 07/22 00:35
2F:推 littleghost1:离子布值可以用光阻,热扩散可用湿氧或300nm以上SiN 07/22 01:26
3F:→ tzjwinfcha:了解,感谢分享 07/22 07:21
4F:→ tzjwinfcha:NDL的中电流离子布值机,光阻好像不能进@@ 07/22 10:04
5F:→ tzjwinfcha:有人有其他的SOURCE吗? 07/22 10:04
6F:推 littleghost1:工研院电光所研发实验中心可进光阻... 07/22 14:34
7F:→ er2:NDL 离子布值机如果可以进光阻吧 07/22 16:57
8F:→ tzjwinfcha:感谢感谢,明天马上去问 07/22 22:07
9F:→ tzjwinfcha:NDL可以进光阻,需硬烤 07/24 12:40