※ 引述《cp2jp6 (大頭)》之銘言： : ----------------實驗開始--------------- : 我們想利用su8-50做出高度100um寬度60um長度500um的凹槽(深寬比:?) ^^^^^^^^ 凹槽的線寬較小, 如果過度曝光或是膠片光罩沒和wafer contact很密, 可能局部照射到紫外線而產生反應, 造成之後無法用顯影液洗去. : 因此我們講光阻塗佈於Si Wafer上 : 也在塗佈光阻前先塗佈hmds ^^^^^^^^ 做SU-8塗HMDS會有反效果 : 問題來了 : 經過軟烤、曝光、顯影後凹槽卻一直無法吃穿... : 之前也嘗試過將wafer放入丙酮以超音波器先震盪個數分中後再放入顯影液以超音波震盪 : 顯影"40分鐘"，雖然結構有吃穿但是仍然不漂亮 顯影液如果已經污濁 就要直接換一盆新的 : 好...今天做了一次 : 一樣直接泡入顯影液以超音波震盪器震盪40分鐘(我知道這時間對su8原廠參數來說已經 : 很扯了) : 期間每隔五分鐘以氮氣吹乾...翻面 : 但是今天卻仍然無法吃透 : 附上全部製程過程 : 希望高手能幫我看看哪裡出錯 : 製程:(塑膠光照) : 1.wafer先以食人魚清洗 : 2.塗佈hmds-烤乾 ^^^^^^^^ 去除此步驟 : 3.塗佈su8-50(500rpm-25s.1000rpm-35s) : 4.軟烤(加熱平板)2分鐘升五度.65度停10min.95度停30min-自然降至室溫 : 5.曝光:500mJ/cm^2 這兩道步驟間會稍微靜置約十分鐘 讓照射到紫外線的地方均勻反應 : 6.曝後烤:(加熱平板)2分鐘升五度.65度停3min.95度停10min-自然降至室溫 : 7.顯影....@@" : --------------------------------------- --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.14.54 ※ 編輯: Ice98 來自: 140.112.14.54 (06/12 15:08) 抱歉 我之前可能沒有寫清楚 應該是曝光完後要稍微靜置一下 再拿去曝後烤 加速反應 ※ 編輯: Ice98 來自: 140.112.14.54 (06/12 19:54)