※ 引述《cp2jp6 (大头)》之铭言： : ----------------实验开始--------------- : 我们想利用su8-50做出高度100um宽度60um长度500um的凹槽(深宽比:?) ^^^^^^^^ 凹槽的线宽较小, 如果过度曝光或是胶片光罩没和wafer contact很密, 可能局部照射到紫外线而产生反应, 造成之後无法用显影液洗去. : 因此我们讲光阻涂布於Si Wafer上 : 也在涂布光阻前先涂布hmds ^^^^^^^^ 做SU-8涂HMDS会有反效果 : 问题来了 : 经过软烤、曝光、显影後凹槽却一直无法吃穿... : 之前也尝试过将wafer放入丙酮以超音波器先震荡个数分中後再放入显影液以超音波震荡 : 显影"40分钟"，虽然结构有吃穿但是仍然不漂亮 显影液如果已经污浊 就要直接换一盆新的 : 好...今天做了一次 : 一样直接泡入显影液以超音波震荡器震荡40分钟(我知道这时间对su8原厂参数来说已经 : 很扯了) : 期间每隔五分钟以氮气吹乾...翻面 : 但是今天却仍然无法吃透 : 附上全部制程过程 : 希望高手能帮我看看哪里出错 : 制程:(塑胶光照) : 1.wafer先以食人鱼清洗 : 2.涂布hmds-烤乾 ^^^^^^^^ 去除此步骤 : 3.涂布su8-50(500rpm-25s.1000rpm-35s) : 4.软烤(加热平板)2分钟升五度.65度停10min.95度停30min-自然降至室温 : 5.曝光:500mJ/cm^2 这两道步骤间会稍微静置约十分钟 让照射到紫外线的地方均匀反应 : 6.曝後烤:(加热平板)2分钟升五度.65度停3min.95度停10min-自然降至室温 : 7.显影....@@" : --------------------------------------- --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.14.54 ※ 编辑: Ice98 来自: 140.112.14.54 (06/12 15:08) 抱歉 我之前可能没有写清楚 应该是曝光完後要稍微静置一下 再拿去曝後烤 加速反应 ※ 编辑: Ice98 来自: 140.112.14.54 (06/12 19:54)