作者ken9110 (小蝙蝠)
看板NEMS
標題Re: [問題] RIE後去除光阻
時間Sun Apr 26 01:30:05 2009
※ 引述《ken9110 (小蝙蝠)》之銘言：
: 先進們好
: 我想請問一下
: 我的晶片PAD部分用薄光組AZ1500 遮蔽後
: 經過RIE etching
: 發現光阻已經變質(好像塑膠)
: 透過丙酮已經不能去除
: 之前試過 塗抹硫酸(因為本身有懸臂樑 已做過超臨界 如果再泡液體 會出現黏滯現象)
: 原先有想過用泡的
: 不過好像都沒用
: 請先進們有更好的方法
: 替我解決嗎
: 在不影響懸浮結構下???
補充一下
我RIE進行有九十分鐘之久 POWER:80W
所以PR會變質
氧電漿嘗試過
不過效果沒看見
至於硫酸的方法
我會試看看(不過硫酸不是會吃PAD金屬嗎)
時間溫度 要控制多久呢?
謝謝指教
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 123.192.174.88
1F：推 Ice98:RIE打90分鐘有點久,要不要考慮分三次去打完 04/26 23:41
2F：→ ken9110:謝謝 我試看看 是怕打太久溫度太高嗎 04/27 00:36
3F：→ ken9110:對了 你上次提到硫酸→水→... 這個有配方嗎 04/27 00:37
4F：推 Ice98:那個只是防止沾黏的清洗步驟,不過怕pad受傷就不用試啦 04/27 10:04
5F：→ ken9110:謝謝 04/27 21:38