作者ken9110 (小蝙蝠)
看板NEMS
标题Re: [问题] RIE後去除光阻
时间Sun Apr 26 01:30:05 2009
※ 引述《ken9110 (小蝙蝠)》之铭言：
: 先进们好
: 我想请问一下
: 我的晶片PAD部分用薄光组AZ1500 遮蔽後
: 经过RIE etching
: 发现光阻已经变质(好像塑胶)
: 透过丙酮已经不能去除
: 之前试过 涂抹硫酸(因为本身有悬臂梁 已做过超临界 如果再泡液体 会出现黏滞现象)
: 原先有想过用泡的
: 不过好像都没用
: 请先进们有更好的方法
: 替我解决吗
: 在不影响悬浮结构下???
补充一下
我RIE进行有九十分钟之久 POWER:80W
所以PR会变质
氧电浆尝试过
不过效果没看见
至於硫酸的方法
我会试看看(不过硫酸不是会吃PAD金属吗)
时间温度 要控制多久呢?
谢谢指教
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 123.192.174.88
1F：推 Ice98:RIE打90分钟有点久,要不要考虑分三次去打完 04/26 23:41
2F：→ ken9110:谢谢 我试看看 是怕打太久温度太高吗 04/27 00:36
3F：→ ken9110:对了 你上次提到硫酸→水→... 这个有配方吗 04/27 00:37
4F：推 Ice98:那个只是防止沾黏的清洗步骤,不过怕pad受伤就不用试啦 04/27 10:04
5F：→ ken9110:谢谢 04/27 21:38