補充一下 稀土元素的氧化物當然也有可能產生缺陷 不過要看有無 PL 的重點在於: 在能隙中有無缺陷所導致的能級 搞懂這點, 就會知道整個材料是否完全由稀土元素的氧化物所組成 跟是否有 PL 是全然無關的 打個比方: Si 摻雜 P 可以增加導電率 並不等價於整塊 P 的導電率會更好 :P 至於氧空缺要怎麼由實驗來研究 我不是做這種實驗的, 所以詳情不清楚 但是聽說過同步輻射的 near edge 光譜可以看出點端倪 ※ 引述《Keelungman (:3)》之銘言： : Sorry I cannot type Chinese on this computer :P : Rare earth (稀土) defects provide inter-gap levels in the original oxides, : and the inter-gap levels allow PL appearing in the oxides : So you can see PL in such oxides with rare earth defects : If you use pure rare earth oxides, : you will have simple band gaps without defects levels. : Since there are no inter-gap defects levels in pure rare earth oxides, : you cannot find out PL there :) : Oxygen vacancies way distorts local electronic structures and Fermi level : so they do affect on the PL : ※ 引述《Supra (　)》之銘言： : : 一般來說會將稀土元素摻雜到氧化物中造成發光 : : 想請教一些問題 : : 為何不直接用稀土氧化物發光?? : : 另外 摻雜會用2+ 或3+表示 但是摻雜進去確實是這樣的狀態嗎??? : : 有需要驗證它嗎??? : : 像這種題目會去探討缺氧與否嗎??? : : 以及做這方面的研究除了PL以外 大概需要做哪些量測分析??? : : decay time??? -- 在達文西過世四個月後，麥哲倫展開了人類歷史上的首次環球航行。 --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 155.69.205.55