补充一下 稀土元素的氧化物当然也有可能产生缺陷 不过要看有无 PL 的重点在於: 在能隙中有无缺陷所导致的能级 搞懂这点, 就会知道整个材料是否完全由稀土元素的氧化物所组成 跟是否有 PL 是全然无关的 打个比方: Si 掺杂 P 可以增加导电率 并不等价於整块 P 的导电率会更好 :P 至於氧空缺要怎麽由实验来研究 我不是做这种实验的, 所以详情不清楚 但是听说过同步辐射的 near edge 光谱可以看出点端倪 ※ 引述《Keelungman (:3)》之铭言： : Sorry I cannot type Chinese on this computer :P : Rare earth (稀土) defects provide inter-gap levels in the original oxides, : and the inter-gap levels allow PL appearing in the oxides : So you can see PL in such oxides with rare earth defects : If you use pure rare earth oxides, : you will have simple band gaps without defects levels. : Since there are no inter-gap defects levels in pure rare earth oxides, : you cannot find out PL there :) : Oxygen vacancies way distorts local electronic structures and Fermi level : so they do affect on the PL : ※ 引述《Supra (　)》之铭言： : : 一般来说会将稀土元素掺杂到氧化物中造成发光 : : 想请教一些问题 : : 为何不直接用稀土氧化物发光?? : : 另外 掺杂会用2+ 或3+表示 但是掺杂进去确实是这样的状态吗??? : : 有需要验证它吗??? : : 像这种题目会去探讨缺氧与否吗??? : : 以及做这方面的研究除了PL以外 大概需要做哪些量测分析??? : : decay time??? -- 在达文西过世四个月後，麦哲伦展开了人类历史上的首次环球航行。 --

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