作者Ice98 (又寂寞又美好)
看板NEMS
標題Re: [問題] KOH 問題
時間Mon Aug 25 13:20:32 2008
※ 引述《mcgrier (^^)》之銘言：
: 想要請問各位大大
: 如果在利用KOH蝕刻Silicon時
: 被部用什麼方法來阻擋比較好呢
: 例如我只要正面蝕刻 背面要擋住
: 之前試過oxide效果不好
: nitride還沒試過 或者是還有其他方法呢
LPCVD Nitride的效果不錯
據說1500A就可以撐住整片wafer的蝕刻
不過我沒這麼帶種
所以只試過low stress 3000A的 吃穿610um的wafer沒問題
前題是長Nitride之前 RCA Clean要做好
PECVD Nitride的效果好像就沒這麼好
MEMS-Talk那邊一堆人吃到一半就掛了
另外一種方法 就是製作Teflon夾具
然後配合O-ring去保護背面的pattern
但是會浪費蠻多面積的
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