作者Ice98 (又寂寞又美好)
看板NEMS
标题Re: [问题] KOH 问题
时间Mon Aug 25 13:20:32 2008
※ 引述《mcgrier (^^)》之铭言：
: 想要请问各位大大
: 如果在利用KOH蚀刻Silicon时
: 被部用什麽方法来阻挡比较好呢
: 例如我只要正面蚀刻 背面要挡住
: 之前试过oxide效果不好
: nitride还没试过 或者是还有其他方法呢
LPCVD Nitride的效果不错
据说1500A就可以撑住整片wafer的蚀刻
不过我没这麽带种
所以只试过low stress 3000A的 吃穿610um的wafer没问题
前题是长Nitride之前 RCA Clean要做好
PECVD Nitride的效果好像就没这麽好
MEMS-Talk那边一堆人吃到一半就挂了
另外一种方法 就是制作Teflon夹具
然後配合O-ring去保护背面的pattern
但是会浪费蛮多面积的
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◆ From: 123.204.22.180