作者SophieFluid (洋為中用)
看板NEMS
標題Re: [問題]關於MEMS製程變異度資料
時間Tue Jul 22 10:08:35 2008
Sorry.... 我想再問一下，一般etching線寬的最小值約是？
我想用其值之一半來當作etching linewidth 的誤差。
※ 引述《SophieFluid (洋為中用)》之銘言：
: 最近在做一些MEMS sensor性能模擬與分析，需要下列資料：
: (1) silicon (crystal & poly) 線寬以及深度的uncertainty
: (2) silicon (crystal & poly) 的材料特性uncertainty,包含
: Young's modulus, Poisson ratio, density等
: 不知道版友們提否提供相關資訊（數據、paper或database website）
: 感激嘍～
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◆ From: 140.116.81.67
1F：推 vagary: 取決你光罩的線寬，etch後的誤差取決你用的材料。 07/23 11:19