作者sort897 (sort)
看板NCTU_INT_NDL
標題Re: [心得]半導體中心爐管的參數
時間Mon Mar 6 16:37:26 2006
那你若有空，可以試試，能否比一下有通氮或沒有通氮氣時，
長出氧化層的品質如何，我想這對你要做的flash，應該蠻有幫助的！
※ 引述《leptons (為何要如此踐踏他人)》之銘言：
: 半導體中心的爐管
: 之前做的時候發現他的參數和實際上有差距
: 例如: <100> 950度C 30分鐘 Dry oxide 會長出193A的SiO2
: 這是本子上的參數
: 但是我們照這樣做去量出來大概是270A
: 但我昨天仔細看了之後發現
: 他的參數中 所通的O2氣體的量是2500cc/min(2.5L) 還有N2 5000cc
: 而我們實際做的是3750cc 沒有通N2
: 所以我們通02的量比參數表上多了1.5倍
: 因此預測厚度也是1.5倍
: 而270/193=1.4
: 因此 那本的參數還是蠻準的
: 至於為什麼要通3750cc 而不通2500cc 我猜測是為了要讓管內保持正壓
: 恩 大致是這樣 這是我昨天作爐管的心得 給大家參考
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