作者sort897 (sort)
看板NCTU_INT_NDL
标题Re: [心得]半导体中心炉管的参数
时间Mon Mar 6 16:37:26 2006
那你若有空，可以试试，能否比一下有通氮或没有通氮气时，
长出氧化层的品质如何，我想这对你要做的flash，应该蛮有帮助的！
※ 引述《leptons (为何要如此践踏他人)》之铭言：
: 半导体中心的炉管
: 之前做的时候发现他的参数和实际上有差距
: 例如: <100> 950度C 30分钟 Dry oxide 会长出193A的SiO2
: 这是本子上的参数
: 但是我们照这样做去量出来大概是270A
: 但我昨天仔细看了之後发现
: 他的参数中 所通的O2气体的量是2500cc/min(2.5L) 还有N2 5000cc
: 而我们实际做的是3750cc 没有通N2
: 所以我们通02的量比参数表上多了1.5倍
: 因此预测厚度也是1.5倍
: 而270/193=1.4
: 因此 那本的参数还是蛮准的
: 至於为什麽要通3750cc 而不通2500cc 我猜测是为了要让管内保持正压
: 恩 大致是这样 这是我昨天作炉管的心得 给大家参考
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